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美國記憶體大廠美光（Micron Technology）延續公布財報後的大漲走勢，繼上週五（10月2日）大漲逾7％之後，本週一又再次跳漲10％以上。
Investors.com 5日報導，RBC Capital分析師Mahesh Sanganeria發表研究報告指出，三星電子（Samsung Electronics Co.）、華亞科（3474）SK Hynix在2014年讓DRAM供給氾濫成災，預料三星會受不了在明（2016）年、後年帶頭砍產能，減產幅度更將居業界之冠，SK Hynix、華亞科也有望跟進。
德意志銀行分析師Sidney Ho則指出，競爭對手減產對逆向調高明年資本支出的美光有利，而明（2016）年DRAM產業的供需也會逐漸改善。
美光財務長Ernie Maddock上週四盤後在公布財報時才剛預估，明年度的資本支出將達到53-56億美元，中間值將比今年度的41億美元高出33％。
Sanganeria認為，DRAM、NAND型快閃記憶體產業的資本支出會在明年度分別下砍38％、17％，而三星雖會繼續投資3D NAND，但資本支出的萎縮幅度卻會是業界最高。美國半導體設備製造商應用材料（Applied Materials）、半導體蝕刻機台製造商科林研發公司（Lam Research Corp.）對記憶體的曝險度較大，容易受到衝擊。