美國記憶體大廠美光（Micron Technology）延續公布財報後的大漲走勢，繼上週五（10月2日）大漲逾7％之後，本週一又再次跳漲10％以上。

Investors.com 5日報導，RBC Capital分析師Mahesh Sanganeria發表研究報告指出，三星電子（Samsung Electronics Co.）、華亞科（3474）SK Hynix在2014年讓DRAM供給氾濫成災，預料三星會受不了在明（2016）年、後年帶頭砍產能，減產幅度更將居業界之冠，SK Hynix、華亞科也有望跟進。

德意志銀行分析師Sidney Ho則指出，競爭對手減產對逆向調高明年資本支出的美光有利，而明（2016）年DRAM產業的供需也會逐漸改善。

美光財務長Ernie Maddock上週四盤後在公布財報時才剛預估，明年度的資本支出將達到53-56億美元，中間值將比今年度的41億美元高出33％。

Sanganeria認為，DRAM、NAND型快閃記憶體產業的資本支出會在明年度分別下砍38％、17％，而三星雖會繼續投資3D NAND，但資本支出的萎縮幅度卻會是業界最高。美國半導體設備製造商應用材料（Applied Materials）、半導體蝕刻機台製造商科林研發公司（Lam Research Corp.）對記憶體的曝險度較大，容易受到衝擊。

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美光5日終場跳漲10.43％、收17.57美元，創8月13日以來收盤新高，漲幅居費城半導體指數的30支成分股之冠，為自6月3日以來首度收在季線（17.03美元）之上。過去兩個交易日以來美光共計大漲18.96％。

barron`s.com甫於10月2日報導，Susquehanna分析師Mehdi Hosseini發表研究報告指出，現在就要說DRAM、NAND型快閃記憶體報價已經觸底，恐怕仍嫌太早，但假若美光能順利降低成本、再加上均價跌勢趨緩，那麼美光的毛利率有機會在11-2月當季來到底部。

中國之曾傳出對美光頗感興趣。Thomson Reuters 8月28日引述消息人士談話報導，中國紫光集團（Tsinghua Unigroup Ltd.）董事長趙偉國本週已啟程前往美國拜訪美光董事會成員。報導指出，趙偉國下週返回北京前還將前往華盛頓會見熟知美國海外投資委員會（CFIUS）批准程序的政策專家。

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資料來源-MoneyDJ理財網

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