三星華城廠區短暫跳電 研調:初步確認影響有限

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三星電子南韓華城廠區去年 12 月 31 日晚間,發生短暫跳電,研調機構集邦科技 (TrendForce) 表示,該廠停電時間小於 3 分鐘,廠區的 UPS 不斷電系統適時給予救援,避免大範圍衝擊,但正常的工廠作業流程仍須停機檢查,初步確認影響有限。

三星電子位於南韓華城的晶片廠,去年 12 月 31 日晚間發生跳電,該廠產能包括 NAND Flash、DRAM 與晶圓代工等。三星平澤廠 2018 年時,也曾發生斷電事件,時間長達半小時,當時造成三星 500 億韓圜損失,業界預期,此次跳電意外,可望助漲 DRAM 與 NAND Flash 漲勢。

集邦科技指出,三星華城廠區發生跳電的 NAND Flash 工廠為 Line 12,主要以生產 2D NAND 為主,並非主流 3D NAND 產品。

此外,該廠區也有 DRAM 生產 (Line 13 部分) 與 LSI 生產 (Line 11 與部分 Line 13),但由於 Line 13 目前只有 20 奈米製程,並非先進的 1X / 1Y 奈米製程。代工部分,主要以 CMOS 產品為主,加上跳電時間短、不斷電系統順利銜接,雖仍需停機檢查,但應可迅速恢復。三星內部目前仍在做災後評估。

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