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三星電子（Samsung Electronics Co.）開足馬力發展晶圓代工事業，週三（5月24日）誓言要領先群雄，跟台積電（2330）一較長短的企圖心相當濃厚。（圖右三星半導體業務總裁Kinam Kim，左為半導體事業經理ES Jung，兩人在三星年度晶圓代工論壇上發表演說。圖片來源：新聞稿）
三星24日在年度晶圓代工論壇上宣布，要在8奈米、7奈米、6奈米、5奈米、4奈米和18奈米FD-SOI（depleted silicon-on-insulator）製程取得領先。
根據ExtremeTech、SemiEngineering等多家外電報導，三星除打算在今（2017）年稍晚讓8奈米LPP （Low-Power Plus）製程進入風險性試產（Risk Production）、明年率先採納極紫外線（EUV）科技推出7奈米LPP製程外，還計畫在2020年讓首款環繞式閘極結構（Gate All Around，GAA）FET 4奈米製程進入投產期。這是首度有晶圓代工廠公開討論GAA FET製程技術的時間表。
三星說，EUV技術能夠減少製程步驟、降低成本並拉升晶片的表現效能。另外，18奈米FD-SOI製程則會在2019年問世。
三星晶圓事業Samsung Foundry的晶圓代工行銷部資深主管Kelvin Low指出，採用EUV系統後，三星每天可製造1,200片矽晶圓，未來產量還會進一步增加。
Semico Research製造業主管Joanne Itow說，所有的大型晶圓代工廠都在忙著找出最適用於物聯網（IoT）、虛擬實境、醫療等新興應用的製程技術，因此廠商也決定投入全部的製程。今年客戶希望有不同選擇，而同樣的事也發生在台積電身上，業者必須不斷推陳出新。
Itow還表示，過去三星只想針對某個特定製程進行研發、確保每一項產品都能成功推出，但現在三星的策略轉變，開始多方面嘗試，顯然是希望能藉此擴充晶圓代工事業營收。
三星已在5月12日進行組織結構重整，晶圓代工確定分拆成獨立單位，其半導體事業也將從原先記憶體與系統LSI雙組織結構分拆成三支。晶圓代工自立門戶，有助於爭搶更多代工訂單。
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