大家應該還記憶猶新的是，之前處理器龍頭英特爾（intel）的財務長George Davis在公開場合表示，除了現在10奈米產能正在加速之外，英特爾還將恢復製程技術領先的關鍵，部分寄望在未來更先進製程的發展上，包括英特爾將在2021年推出7奈米製程技術，並且將在7奈米製程的基礎上發展出5奈米製程。對於英特爾5奈米製程的發展，現在有外媒表示，在這個節點上英特爾將會放棄FinFET（鰭式場效電晶體），轉向GAA電晶體（環繞閘極電晶體）。

根據外媒《Profesional Review》的報導表示，隨著製程技術的升級，晶片的電晶體製作也面臨瓶頸。英特爾最早在22奈米的節點上首先使用了FinFET技術，當時叫做「3D電晶體」，就是將原本平面的電晶體，變成立體的FinFET，於是提高了晶片的性能，也降低了功耗。之後，FinFET也成為全球主要晶圓廠製程發展的選擇，一直用到現在的7奈米及5奈米製程節點上。

作為之前先進製程的領導者，英特爾之前提到了目前5奈米製程正在研發中。只是，對於製程的發展並沒有公布詳情。因此，根據《Profesional Review》的報導，英特爾在5奈米節點上將會放棄FinFET，轉向GAA電晶體。

報導強調，目前在GAA電晶體上也有多種技術發展路線。如之前三星提到自家的GAA電晶體相較於第1代的7奈米製程來說，能夠提升晶片35%的性能，並且降低50%的功耗以及45%的晶片面積。而在三星這後起之秀上，GAA電晶體就已經有這樣的效能，而英特爾在技術實力上會比三星要來的強大情況下，未來英特爾在GAA電晶體的發展上，期提升效能應該會更加明顯。

報導進一步強調，如果能在5奈米製程節點上進一步採用GAA電晶體，則日前英特爾財務長所強調的「英特爾將在5奈米製程節點上重新奪回領導地位」的說法就比較可能容易實現了。至於另一個市場上的強進競爭對手台積電，目前在2020年首季準備量產5奈米製程上，依舊採用FinFET。但是，到了下一世代的3奈米節點，目前台積電還尚未公布預計的製程方式。根據台積電官方的說法，其3奈米相關細節將會在2020年的4月29日的的北美技術論壇上公布。

另外，英特爾5奈米製程的問世時間目前也還沒明確的時間表。不過，英特爾之前提到7奈米之後製程技術發展週期，將會回歸以往的2年升級的節奏上，因此就是表示最快2023年就能見到英特爾的5奈米製程技術問世。

本文獲「財經新報」授權轉載，原文：英特爾預計2023年推出5奈米GAA製程，力拼台積電3奈米製程

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